STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 45 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, Hip-247
- RS-varenummer:
- 907-4741P
- Producentens varenummer:
- SCT30N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.246,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.558,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 290 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 124,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 907-4741P
- Producentens varenummer:
- SCT30N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 270W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Portkildespænding maks. | -10V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 270W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Portkildespænding maks. -10V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.5V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal siliciumkarbid (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er har meget lav statisk afledning-kilde-modstand til 1200 V mærkespænding, kombineret med fremragende skifteevne, som betyder mere effektive og kompakte systemer.