IXYS N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HiperFET, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1451P
- Producentens varenummer:
- IXFA22N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 430,85
(ekskl. moms)
Kr. 538,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 244 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 48 | Kr. 43,085 |
| 50 - 98 | Kr. 41,965 |
| 100 - 198 | Kr. 40,84 |
| 200 + | Kr. 39,905 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1451P
- Producentens varenummer:
- IXFA22N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HiperFET, X2-Class | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 145mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bredde | 11.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HiperFET, X2-Class | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 145mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bredde 11.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal power-MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 serien
Serien IXYS X2 klasse HiPerFET Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er ved at medføre reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en forbedret egensikker højhastighedsdiode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS