STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-varenummer:
- 917-2747P
- Producentens varenummer:
- STD10P6F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 552,40
(ekskl. moms)
Kr. 690,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 700 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 180 | Kr. 5,524 |
| 200 - 480 | Kr. 4,974 |
| 500 - 980 | Kr. 4,481 |
| 1000 + | Kr. 4,249 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-2747P
- Producentens varenummer:
- STD10P6F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .