onsemi N-Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- RS-varenummer:
- 917-5469
- Producentens varenummer:
- FDMS3572
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 112,80
(ekskl. moms)
Kr. 141,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,56 | Kr. 112,80 | - |
| 50 - 95 | Kr. 19,462 | Kr. 97,31 | 13% |
| 100 + | Kr. 16,86 | Kr. 84,30 | 25% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-5469
- Producentens varenummer:
- FDMS3572
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | UltraFET | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 750μm | |
| Bredde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie UltraFET | ||
Emballagetype WDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 750μm | ||
Bredde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.
Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 48 A 80 V Forbedring WDFN, UltraFET
- onsemi N-Kanal 20 A 200 V Forbedring WDFN, UltraFET
- onsemi N-Kanal 14 A 250 V Forbedring WDFN, UltraFET
- onsemi N-Kanal 75 A 80 V Forbedring TO-220, UltraFET
- onsemi N-Kanal 130 A 80 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 122 A 80 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 76 A 80 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 80 A 40 V Forbedring WDFN, PowerTrench