STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 920-6632
- Producentens varenummer:
- STP6NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 8%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 740,50
(ekskl. moms)
Kr. 925,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 14,81 | Kr. 740,50 | - |
| 250 - 450 | Kr. 13,492 | Kr. 674,60 | 8% |
| 500 + | Kr. 12,041 | Kr. 602,05 | 18% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-6632
- Producentens varenummer:
- STP6NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.5nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.15mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.15mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 900 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2.1 A 900 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH