STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-varenummer:
- 920-6673
- Producentens varenummer:
- IRF630
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 346,90
(ekskl. moms)
Kr. 433,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 400 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2027
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 6,938 | Kr. 346,90 |
| 500 - 1200 | Kr. 6,571 | Kr. 328,55 |
| 1250 + | Kr. 6,231 | Kr. 311,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-6673
- Producentens varenummer:
- IRF630
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 120 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 26 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET