STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- RS-varenummer:
- 920-8792
- Producentens varenummer:
- STB55NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Tilføj 2000 flere for at gemme Kr. 708,00
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 6.391,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.989,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Afsendelse fra 26. februar 2027
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 6,391 | Kr. 6.391,00 | - |
| 2000 - 4000 | Kr. 6,037 | Kr. 6.037,00 | Kr. 708,00 |
| 5000 - 9000 | Kr. 5,963 | Kr. 5.963,00 | Kr. 2.140,00 |
| 10000 + | Kr. 5,892 | Kr. 5.892,00 | Kr. 4.990,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-8792
- Producentens varenummer:
- STB55NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Længde | 10.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.4mm | ||
Længde 10.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
