STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 920-8830
- Producentens varenummer:
- STW42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.363,98
(ekskl. moms)
Kr. 1.704,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 540 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 45,466 | Kr. 1.363,98 |
| 60 - 120 | Kr. 44,907 | Kr. 1.347,21 |
| 150 + | Kr. 44,359 | Kr. 1.330,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-8830
- Producentens varenummer:
- STW42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 69 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5