STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 920-8834
- Producentens varenummer:
- STP45N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.862,50
(ekskl. moms)
Kr. 2.328,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 37,25 | Kr. 1.862,50 | - |
| 250 + | Kr. 35,439 | Kr. 1.771,95 | 4% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-8834
- Producentens varenummer:
- STP45N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 78mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 210W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 78mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 210W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 42 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5