AS4C16M16SA-6BIN, SDRAM, 256Mbit, Overflademontering, 166MHz, 3 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 54 ben, TFBGA DDR

Se alle SDRAM
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 70,91

(ekskl. moms)

Kr. 88,638

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 278 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 35,455Kr. 70,91
10 - 18Kr. 32,275Kr. 64,55
20 - 98Kr. 31,68Kr. 63,36
100 - 198Kr. 28,35Kr. 56,70
200 +Kr. 27,79Kr. 55,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
230-8412
Producentens varenummer:
AS4C16M16SA-6BIN
Brand:
Alliance Memory
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Alliance Memory

Memory-størrelse

256Mbit

SDRAM klasse

DDR

Organisation

16 m x 16

Datahastighed

166MHz

Databusbredde

16bit

Adressebusbredde

13bit

Antal Bits per ord

16bit

Random access-tid maks.

5ns

Antal ord

16 M

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

TFBGA

Benantal

54

Dimensioner

8.0 x 8.0 x 1.2mm

Højde

1.2mm

Længde

8.0mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Driftsforsyningsspænding min.

3 V

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Bredde

8.0mm

Alliance Memory 256 MB SDRAM er en højhastigheds CMOS synkron DRAM med 256 Mbit. Den er internt konfigureret som 4 rækker af 4 M ord x 16 DRAM med en synkron grænseflade (alle signaler registreres på den positive kant af ursignalet, CLK). Læse- og skriveadgang til SDRAM er burst-orienteret

giver adgang til start på en valgt placering og fortsætter for et programmeret antal placeringer i en programmeret sekvens. Giver adgang begynder med registreringen af en BankActivate kommando, som derefter efterfølges af en Læs- eller Skriv-kommando.

Hurtig adgang fra ur: 5 / 5.4 ns
Hurtig clock-hastighed: 166/143 MHz
Fuldt synkron drift
Intern pipelined arkitektur
4 M ord x 16-bit x 4-bank

Relaterede links