AS4C16M16SA-6TCN, SDRAM, 256Mbit, Overflademontering, 166MHz, 3 V til 3,6 V, 0 °C til +70 °C, 54 ben, TSOP DDR

Alliance Memory 256 MB SDRAM er en højhastigheds CMOS synkron DRAM med 256 Mbit. Den er internt konfigureret som 4 rækker af 4 M ord x 16 DRAM med en synkron grænseflade (alle signaler registreres på den positive kant af ursignalet, CLK). Læse- og skriveadgang til SDRAM er burst-orienteret

Hurtig adgang fra ur: 5 / 5.4 ns
Hurtig clock-hastighed: 166/143 MHz
Fuldt synkron drift
Intern pipelined arkitektur
4 M ord x 16-bit x 4-bank