Alliance Memory, SDRAM, 512 MB, Overflade 16 bit, 70 °C, 0 °C, 54 Ben, TSOP
- RS-varenummer:
- 230-8426P
- Producentens varenummer:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Brand:
- Alliance Memory
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 230-8426P
- Producentens varenummer:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Brand:
- Alliance Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 512MB | |
| Organisation | 32 M x 16 bit | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Adressebusbredde | 13bit | |
| Antal Bits per ord | 16 | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Random access-tid maks. | 5.4ns | |
| Antal ord | 8K | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Benantal | 54 | |
| Min. driftstemperatur | 0°C | |
| Driftstemperatur maks. | 70°C | |
| Længde | 22.35mm | |
| Bredde | 10.29mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Alliance Memory | ||
Produkttype SDRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 512MB | ||
Organisation 32 M x 16 bit | ||
Databusbredde 16bit | ||
Adressebusbredde 13bit | ||
Antal Bits per ord 16 | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Random access-tid maks. 5.4ns | ||
Antal ord 8K | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype TSOP | ||
Benantal 54 | ||
Min. driftstemperatur 0°C | ||
Driftstemperatur maks. 70°C | ||
Længde 22.35mm | ||
Bredde 10.29mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Alliance Memory 512 MB SDRAM er en højhastigheds CMOS synkron DRAM med 512 Mbit. Den er internt konfigureret som 4 grupper af 8 M ord x 16 DRAM med en synkron grænseflade (alle signaler registreres på den positive kant af ursignalet, CLK). Læse- og skriveadgang til SDRAM er burst-orienteret; giver adgang til start på en valgt placering og fortsætter for et programmeret antal placeringer i en programmeret sekvens. Adgange starter med registrering af en Bank Activate-kommando, som derefter efterfølges af en Læs- eller Skriv-kommando.
Automatisk opdatering og automatisk opdatering
8192 opdateringscyklusser/64 ms
CKE-nedlukningstilstand
Enkelt + 3,3 V ± 0,3 V strømforsyning