Alliance Memory, SDRAM, 512 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, TSOP

Alliance Memory 512 MB SDRAM er en højhastigheds CMOS synkron DRAM med 512 Mbit. Den er internt konfigureret som 4 grupper af 8 M ord x 16 DRAM med en synkron grænseflade (alle signaler registreres på den positive kant af ursignalet, CLK). Læse- og skriveadgang til SDRAM er burst-orienteret; giver adgang til start på en valgt placering og fortsætter for et programmeret antal placeringer i en programmeret sekvens. Adgange starter med registrering af en Bank Activate-kommando, som derefter efterfølges af en Læs- eller Skriv-kommando.

Automatisk opdatering og automatisk opdatering