Infineon SRAM, 4Mbit, SOIC 32

MoBL laveffekt SRAM-hukommelsesenheder har høj effektivitet og har brancheførende specifikationer for standby effekttab (maksimum).

Meget høj hastighed: 45 ns
Spændingsområde: 4,5 V til 5,5 V.
PIN-kode kompatibel med CY62148B
Ultralav standby-strøm
Typisk standbystrøm: 1 μA
Maks. standbystrøm: 7 μA (industriel)
Meget lav aktiv effekt
Typisk aktiv strøm: 2,0 mA ved f = 1 MHz
Nem hukommelsesudvidelse med CE- og OE-funktioner
Automatisk nedlukning ved fravalgt
Komplementær metaloxid-halvleder (CMOS) for optimal hastighed og effekt
Fås i pakker med 32-bens tynde, lille omrids (TSOP) II og 32-bens integrerede kredsløb med lille omrids (SOIC)[1]

SRAM (Static Random Access Memory)