Infineon SRAM, 128 MB, FBGA-24 kugle
- RS-varenummer:
- 273-5437
- Producentens varenummer:
- S70KL1282GABHV020
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bakke af 338 enheder)*
Kr. 18.519,02
(ekskl. moms)
Kr. 23.149,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 338 - 338 | Kr. 54,79 | Kr. 18.519,02 |
| 676 + | Kr. 51,941 | Kr. 17.556,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5437
- Producentens varenummer:
- S70KL1282GABHV020
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Hukommelsesstørrelse | 128MB | |
| Produkttype | SRAM | |
| Antal Bits per ord | 16 | |
| Random access-tid maks. | 35ns | |
| Klokfrekvens maks. | 200MHz | |
| Timing-type | DDR | |
| Forsyningsspænding min. | 1.8V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Emballagetype | FBGA-24 kugle | |
| Driftstemperatur maks. | 105°C | |
| Serie | HYPERRAM | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Hukommelsesstørrelse 128MB | ||
Produkttype SRAM | ||
Antal Bits per ord 16 | ||
Random access-tid maks. 35ns | ||
Klokfrekvens maks. 200MHz | ||
Timing-type DDR | ||
Forsyningsspænding min. 1.8V | ||
Forsyningsspænding maks. 3V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Emballagetype FBGA-24 kugle | ||
Driftstemperatur maks. 105°C | ||
Serie HYPERRAM | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Infineon DRAM er en højhastigheds CMOS selvopfriskende DRAM med HYPERBUSTM-interface. DRAM-array bruger dynamiske celler, der kræver periodisk opdatering. Opdateringsstyringslogik i enheden styrer opdateringsoperationer på DRAM-array, når hukommelsen ikke aktivt læses eller skrives af HYPERBUSTM interface master. Da værten ikke er nødvendig for at håndtere opdateringsoperationer, vises DRAM-array til værten, som om hukommelsen bruger statiske celler, der bevarer data uden opdatering. Derfor er hukommelsen mere præcist beskrevet som pseudo-statisk RAM.
HYPERBUSTM interface
200 MHz maksimal clockfrekvens
Konfigurerbare udbrudsegenskaber
Datagennemgang op til 400 MB/s
2-vejs læse- og skrive-data-stroboskop
Valgfri DDR centreret aflæsningsstrobe