Renesas Electronics SRAM, 4Mbit, TSOP 44
- RS-varenummer:
- 901-5843
- Producentens varenummer:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA0
- Brand:
- Renesas Electronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 901-5843
- Producentens varenummer:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA0
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Memory-størrelse | 4Mbit | |
| Organisation | 256 K x 16 bit | |
| Antal ord | 256K | |
| Antal Bits per ord | 16bit | |
| Random access-tid maks. | 45ns | |
| Adressebusbredde | 16bit | |
| Clock-frekvens | 1MHz | |
| Lav effekt | Ja | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | TSOP | |
| Benantal | 44 | |
| Dimensioner | 18.51 x 10.26 x 1mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V | |
| Højde | 1mm | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 2,7 V | |
| Bredde | 10.26mm | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Længde | 18.51mm | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Memory-størrelse 4Mbit | ||
Organisation 256 K x 16 bit | ||
Antal ord 256K | ||
Antal Bits per ord 16bit | ||
Random access-tid maks. 45ns | ||
Adressebusbredde 16bit | ||
Clock-frekvens 1MHz | ||
Lav effekt Ja | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype TSOP | ||
Benantal 44 | ||
Dimensioner 18.51 x 10.26 x 1mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V | ||
Højde 1mm | ||
Driftsforsyningsspænding min. 2,7 V | ||
Bredde 10.26mm | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Længde 18.51mm | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Laveffekt SRAM, RMLV serien, Renesas Electronics
RMLV serien af højtydende avanceret statisk RAM har virkeliggjort større tæthed, lavt strømforbrug og har lavt standby-effekttab.
Enkelt 2,7 V til 3,6 V strømforsyning
Tilgangstid: 45 ns (maks.)
Lige adgangs- og cyklustider
Fælles dataindgang og udgang med tre tilstande
Alle indgange og udgange er TTL-kompatible
Velegnet til drift med batteribackup
Tilgangstid: 45 ns (maks.)
Lige adgangs- og cyklustider
Fælles dataindgang og udgang med tre tilstande
Alle indgange og udgange er TTL-kompatible
Velegnet til drift med batteribackup
SRAM (Static Random Access Memory)