RFN5BGE6STL, Diode, 500mA 600V Silicon Junction, 3 ben, TO-252GE
- RS Stock No.:
- 223-6306
- Mfr. Part No.:
- RFN5BGE6STL
- Brand:
- ROHM
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
Kr. 7.845,00
(exc. VAT)
Kr. 9.805,00
(inc. VAT)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,138 | Kr. 7.845,00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 223-6306
- Mfr. Part No.:
- RFN5BGE6STL
- Brand:
- ROHM
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 500mA | |
| Diode-konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Spænding i spærreretning maks. | 600V | |
| Kapslingstype | TO-252GE | |
| Diode-teknologi | Silicon Junction | |
| Benantal | 3 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Gennemgangsstrøm maks. 500mA | ||
Diode-konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Spænding i spærreretning maks. 600V | ||
Kapslingstype TO-252GE | ||
Diode-teknologi Silicon Junction | ||
Benantal 3 | ||
ROHM superhurtig genindvindingsdiode anvendes primært til generel afhjælpning. Den har 600 V mærkespænding ved bakkørsel.
Tabsfattigt skift
Lav spænding i gennemgangsretning
Lav spænding i gennemgangsretning
Related links
- RFN5BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF505BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF501BGE2STL 500mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFN5BGE2STL 500mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFV8BGE6STL 800mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN10BGE6STL 1A 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF305BGE6STL 300mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN10BGE3STL 1A 350V Silicon Junction TO-252GE