AEC-Q101 BAV70E6327HTSA1, Omskifterdiode, 200mA 85V Silicon Junction, 3 ben, SOT-23 1.25V

RS-varenummer:: 445-4293
Producentens varenummer:: BAV70E6327HTSA1
Brand:: Infineon

AEC-Q101 BAV70E6327HTSA1, Omskifterdiode, 200mA 85V Silicon Junction, 3 ben, SOT-23 1.25V

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 26,95

(ekskl. moms)

Kr. 33,70

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

700 tilbage, klar til afsendelse
Plus 1.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 - 200	Kr. 0,539	Kr. 26,95
250 - 450	Kr. 0,51	Kr. 25,50
500 - 1200	Kr. 0,491	Kr. 24,55
1250 - 2450	Kr. 0,458	Kr. 22,90
2500 +	Kr. 0,431	Kr. 21,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 445-4293
Producentens varenummer:: BAV70E6327HTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Diode-konfiguration	Fælles katode
	Gennemgangsstrøm maks.	200mA
	Antal elementer per chip	2
	Monteringstype	Overflademontering
	Spænding i spærreretning maks.	85V
	Kapslingstype	SOT-23
	Diode-teknologi	Silicon Junction
	Benantal	3
	Maks. spændingsfald i gennemgangsretning	1.25V
	Diodekapacitet maks.	1.5pF
	Driftstemperatur min.	-65 °C
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Længde	2.9mm
	Bredde	1.3mm
	Højde	1mm
	Dimensioner	1 x 2.9 x 1.3mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101
	Effektafsættelse	250mW

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Diode-konfiguration Fælles katode
	Gennemgangsstrøm maks. 200mA
	Antal elementer per chip 2
	Monteringstype Overflademontering
	Spænding i spærreretning maks. 85V
	Kapslingstype SOT-23
	Diode-teknologi Silicon Junction
	Benantal 3
	Maks. spændingsfald i gennemgangsretning 1.25V
	Diodekapacitet maks. 1.5pF
	Driftstemperatur min. -65 °C
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Længde 2.9mm
	Bredde 1.3mm
	Højde 1mm
	Dimensioner 1 x 2.9 x 1.3mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101
	Effektafsættelse 250mW

Datasheet

Infineon koblingsdiode, 200 mA maksimal fremadrettet strøm, 85 V maksimal bagudrettet spænding - BAV70E6327HTSA1

Denne koblingsdiode, der er kendt for sin fælles katodeopsætning, er ideel til højhastighedsapplikationer. Den er designet til overflademontering og har kompakte dimensioner på 1 x 2,9 x 1,3 mm, hvilket sikrer, at den effektivt optager minimal plads på printet, samtidig med at den leverer pålidelig ydelse til forskellige elektroniske behov.

Egenskaber og fordele

• Understøtter højhastighedsskift til effektiv signalbehandling
• Fælles katodekonfiguration optimerer kredsløbsdesign
• Kan håndtere en maksimal omvendt spænding på 85V
• Høj temperaturkapacitet fra -65 °C til +150 °C giver mulighed for forskellige driftsforhold

Anvendelser

• Anvendes i elektroniske præcisionsstyringsenheder til biler
• Implementeret i signaludligningskredsløb til effektiv strømstyring
• Ideel til højhastighedsdatakommunikation i elektroniske enheder
• Effektiv i forbrugerelektronik til at skifte

Hvad er betydningen af den fælles katodekonfiguration i denne diode?

Denne konfiguration giver mulighed for fleksible kredsløbsdesigns, der gør det lettere at integrere flere switching-funktioner uden at komplicere layoutet.

Hvordan påvirker den lave kapacitans ydeevne i praktiske anvendelser?

Den lave kapacitans øger skiftehastigheden, hvilket er afgørende for højfrekvensapplikationer, minimerer forsinkelser og reducerer signalforvrængning.

Hvilke sikkerheds- og ydelsesstandarder overholder denne diode?

Den opfylder AEC-Q101-standarden for bilindustrien, hvilket sikrer, at den kan modstå strenge miljøforhold og opretholde pålideligheden i kritiske applikationer.

Dioder og ensrettere, Infineon