onsemi, Transimpedans-forstærker beskyttelsesdiode 1, 200 W, Envejs, 7 V, 2 Ben, SDO-523
- RS-varenummer:
- 145-3375
- Producentens varenummer:
- ESD5Z7.0T1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 9000 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 510,00
(ekskl. moms)
Kr. 630,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,17 | Kr. 510,00 | - |
| 9000 + | Kr. 0,162 | Kr. 486,00 | 4% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-3375
- Producentens varenummer:
- ESD5Z7.0T1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Diodemateriale | Enkelt | |
| Produkttype | Transimpedans-forstærker beskyttelsesdiode | |
| Retningstype | Envejs | |
| Breakdown-spænding min. Vbr | 7.5V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SDO-523 | |
| Stand-off spænding i spærretilstand maks. Vwm | 7V | |
| Benantal | 2 | |
| Impulseffektafsættelse spidsværdi Pppm | 200W | |
| Klemmespænding VC | 13.5V | |
| Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm | 22.7A | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| ESD-beskyttelse | Ja | |
| Testfrekvenser It | 1mA | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 700μm | |
| Bredde | 900μm | |
| Længde | 1.3mm | |
| Lækstrøm i spærreretning maks. | 10nA | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Diodemateriale Enkelt | ||
Produkttype Transimpedans-forstærker beskyttelsesdiode | ||
Retningstype Envejs | ||
Breakdown-spænding min. Vbr 7.5V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SDO-523 | ||
Stand-off spænding i spærretilstand maks. Vwm 7V | ||
Benantal 2 | ||
Impulseffektafsættelse spidsværdi Pppm 200W | ||
Klemmespænding VC 13.5V | ||
Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm 22.7A | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
ESD-beskyttelse Ja | ||
Testfrekvenser It 1mA | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 700μm | ||
Bredde 900μm | ||
Længde 1.3mm | ||
Lækstrøm i spærreretning maks. 10nA | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
240 W transientspændingsundertrykker diode for ESD-beskyttelse
På Semiconductor ESD5Z serien er en mikrotransientspændingsundertrykker, der er designet til at beskytte spændingsfølsomme komponenter mod ESD og også transientspændingshændelser. Denne enhed har fremragende klemmekapacitet, en hurtig responstid og lav lækage, der er ideel til ESD-beskyttelse. Den kompakte størrelse er perfekt til pladsbesparende opbevaring, hvor pladsen på kortet er af højeste kvalitet.
Anvendelsesområder
Bærbare enheder
- Mobil telefoner
- Digitale kameraer
- Strømforsyninger
Standarder
- IEC61000-4-2 Niveau 4 ESD beskyttelse
- IEC61000-4-4 Niveau 4 EFT beskyttelse
- ESD-klassificering af klasse 3