Nexperia, ESD beskyttelsesdiode 2, Envejs, 5 Ben, WLCSP
- RS-varenummer:
- 153-0754
- Producentens varenummer:
- PESD1USB3SZ
- Brand:
- Nexperia
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 153-0754
- Producentens varenummer:
- PESD1USB3SZ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | ESD beskyttelsesdiode | |
| Retningstype | Envejs | |
| Breakdown-spænding min. Vbr | 6V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | WLCSP | |
| Benantal | 5 | |
| ESD-beskyttelse | Ja | |
| Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm | 8A | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61000-4-2 | |
| Højde | 0.38mm | |
| Længde | 1.22mm | |
| Serie | PESD | |
| Lækstrøm i spærreretning maks. | 100nA | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype ESD beskyttelsesdiode | ||
Retningstype Envejs | ||
Breakdown-spænding min. Vbr 6V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype WLCSP | ||
Benantal 5 | ||
ESD-beskyttelse Ja | ||
Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm 8A | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Standarder/godkendelser IEC 61000-4-2 | ||
Højde 0.38mm | ||
Længde 1.22mm | ||
Serie PESD | ||
Lækstrøm i spærreretning maks. 100nA | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Common-mode-filter til USB-porte, som ikke levner plads til at gå på kompromis. Den mest almindelige kamera- og displaygrænseflade, der nu bruges til bærbare enheder, er MIPI-differensinterface, der kører på RF-frekvenser. For at muliggøre drift ved typiske GSM/3G/LTE-frekvenser skal en stærk common-mode-undertrykkelse over alle bånd og højere harmonier anvendes. På samme tid skal et bredt differensgennemgangsbånd anvendes for at holde signalintegritet. Da ESD kan komme ind via revner i den bærbar enhed, er stærk ESD-beskyttelse nødvendig for at undgå beskadigelse af elektronik eller genindstilling af systemet på grund af ESD-udladninger
Stærk common-mode-undertrykkelse > 14 dB i området mellem 500 MHz og > 8 GHz
Bredt gennemgangsbånd > 2 GHz sikrer signalintegritet for alle MIPI-frekvenser
ESD-robusthed > 15 kV kontakt, der langt overstiger IEC 61000-4-2 (8 kV kontakt)
Dyb snap-back for optimeret SoC-beskyttelse mod ESD-udladninger
Meget tyndt hus (0,5 mm maks. hushøjde)
Alle LVDS-signaler skal bruge et gennemgangsbånd på op til 2 GHz