BFP840FESDH6327XTSA1, RF bipolar transistor, NPN 35 mA 2,25 V 85 GHz, 4 ben, TSFP Enkelt

BFP840FESD er en højtydende HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), som specifikt er udviklet til 5-6 GHz WiFi-anvendelser. Enheden er baseret på den driftssikre højvolumen-SiGe:C-teknologi fra Infineon. BFP840FESD leverer i sig selv god tilpasning af indgangs- og udgangseffekt og god støjtilpasning ved 5-6 GHz. Den samtidige tilpasning af støj og effekt uden tabsgivende eksterne tilpasningskomponenter på indgangsledningerne er ensbetydende med et meget begrænset antal dele, en fremragende støjværdi og en meget høj transducerforstærkning i WiFi-anvendelsen.

Robust højtydende støjsvag forstærker baseret på Infineons driftssikre højvolumen-SiGe:C-skiveteknologi
2 kV ESD-robusthed (HBM) takket være integrerede beskyttelseskredsløb
Høj maksimal RF-indgangseffekt på 21 dBm
0,6 dB min. støj
26 dB maks. forstærkning
23,5 dBm OIP3 typisk ved 5,5 GHz, 25 mA
Nøjagtig SPICE GP-model til rådighed, som muliggør effektiv design in-proces