FDG6321C, Dual, Digital transistor, , 6 ben, SC-70

Disse dual N&P-Channel logik niveau-forbedringstilstand Field Effect-transistorer produceres ved hjælp af en navnebeskyttet DMOS-teknologi med høj celletæthed. Denne proces med meget høj tæthed er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tilstanden. Denne enhed er designet specielt til lavspændings-anvendelser som erstatning for bipolære digitale transistorer og småsignal-MOSFET'er. Da bias-modstande ikke er nødvendige, kan denne dobbelte digitale FET erstatte flere forskellige digitale transistorer med forskellige bias-modstandsværdier.

N-kanal
0,50 A, 25 V.
RDS(ON) = 0,45 Ω VED VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 0,60 Ω VED VGS = 2,7 V.
P-kanal
-0,41 A, -25 V.
RDS(ON) = 1,1 Ω VED VGS = -4,5 V.
RDS(ON) = 1,5 Ω VED VGS = -2,7 V.
Meget lille hus omrids SC70-6.
Meget lave krav til gate-drev, der muliggør direkte drift i 3 V kredsløb (VGS(th)< 1,5 V).
Gate-source zener til ESD robusthed (>6kV Human Body-model).
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.