FDG6304P, Dual, Digital transistor, , 6 ben, SC-70

Disse dual P-kanal logikniveauforstærkningstilstanden felteffekttransistorer produceres ved hjælp af en navnebeskyttet DMOS-teknologi med høj celletæthed. Denne proces med meget høj tæthed er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tilstanden. Denne enhed er designet specielt til lavspændings-anvendelser som erstatning for bipolære digitale transistorer og småsignal-MOSFET'er.

-25 V, -0,41 A kontinuerlig, -1,5 A peak.
RDS(ON) = 1,1 Ω VED VGS = -4,5 V,
RDS(ON) = 1,5 Ω VED VGS = -2,7 V.
Meget lave krav til gate-drev, der muliggør direkte drift i 3 V kredsløb (VGS(th)< 1,5 V).
Gate-source zener til ESD robusthed (>6kV Human Body-model).
Kompakt industristandard SC70-6 overflademonteret hus.
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.