MJD112T4G, Darlington transistor, NPN 4 A 100 V HFE:200, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

RS-varenummer:: 463-016P
Producentens varenummer:: MJD112T4G
Brand:: onsemi

MJD112T4G, Darlington transistor, NPN 4 A 100 V HFE:200, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

Pris Pr. stk. (Leveres på en Strip)**. Antal under 150 stk. på sammenhængende bånd

Kr. 4,208

(ekskl. moms)

Kr. 5,26

(inkl. moms)

4940 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.
200 - 480	Kr. 3,628
500 - 980	Kr. 3,146
1000 +	Kr. 2,764

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 463-016P
Producentens varenummer:: MJD112T4G
Brand:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Transistortype	NPN
Kollektorstrøm kontinuerlig maks.	4 A
Kollektor emitter spænding maks.	100 V
Emitter basis spænding maks.	5 V
Kapslingstype	DPAK (TO-252)
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Transistorkonfiguration	Enkelt
Antal elementer per chip	1
DC strømforstærkning min.	200
Basis emitter mætningsspænding maks.	4 V
Kollektor basis spænding maks.	100 V
Kollektor emitter mætningsspænding maks.	3 V
Kollektor afskæringsstrøm maks.	0.02mA
Højde	2.38mm
Dimensioner	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	6.73mm
Bredde	6.22mm
Driftstemperatur min.	-65 °C

MJD112T4G, Darlington transistor, NPN 4 A 100 V HFE:200, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

NPN Darlington transistorer, ON Semiconductor

Standarder