MPN

MJD117T4G, Darlington transistor, PNP 4 A 100 V HFE:200, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.437,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.547,50

(inkl. moms)

På lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Pr stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 1,775	Kr. 4.437,50

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Transistortype	PNP
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks.	4 A
	Kollektor emitter spænding maks.	100 V
	Emitter basis spænding maks.	5 V
	Kapslingstype	DPAK (TO-252)
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	3
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Antal elementer per chip	1
	DC strømforstærkning min.	200
	Basis emitter mætningsspænding maks.	4 V
	Kollektor basis spænding maks.	100 V
	Kollektor emitter mætningsspænding maks.	3 V
	Kollektor afskæringsstrøm maks.	0.02mA
	Længde	6.73mm
	Højde	2.38mm
	Bredde	6.22mm
	Driftstemperatur min.	-65 °C
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Dimensioner	6.73 x 6.22 x 2.38mm

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Transistortype PNP
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 4 A
	Kollektor emitter spænding maks. 100 V
	Emitter basis spænding maks. 5 V
	Kapslingstype DPAK (TO-252)
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 3
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Antal elementer per chip 1
	DC strømforstærkning min. 200
	Basis emitter mætningsspænding maks. 4 V
	Kollektor basis spænding maks. 100 V
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. 3 V
	Kollektor afskæringsstrøm maks. 0.02mA
	Længde 6.73mm
	Højde 2.38mm
	Bredde 6.22mm
	Driftstemperatur min. -65 °C
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Dimensioner 6.73 x 6.22 x 2.38mm

Producentens varrnumre med præfikserne S eller NSV præfiks er godkendt til brug i biler jvf. AEC-Q101-standarden.

Relaterede links