TIP121G, Darlington transistor, NPN 5 A dc 80 V dc, Single HFE:1000, 3 ben, TO-220 Enkelt

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 127,825

(ekskl. moms)

Kr. 159,775

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 5,113Kr. 127,83

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
186-8205
Producentens varenummer:
TIP121G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Transistortype

NPN

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

5 A dc

Kollektor emitter spænding maks.

80 V dc

Emitter basis spænding maks.

5 V DC

Kapslingstype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Konfiguration

Single

Antal elementer per chip

1

DC strømforstærkning min.

1000

Kollektor basis spænding maks.

80 V dc

Kollektor emitter mætningsspænding maks.

4 V dc

Driftstemperatur min.

-65 °C

Dimensioner

10.53 x 4.83 x 15.75mm

Længde

10.53mm

Højde

15.75mm

Bredde

4.83mm

Effektafsættelse maks.

65 W

Driftstemperatur maks.

+150 °C

COO (Country of Origin):
CN
Darlington bipolær effekttransistor er designet til allround forstærker og switching med lav hastighed. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) er supplerende enheder.

Høj DC-strømforstærkning - hFE = 2500 (typ.) ved IC = ADC
Kollektor - Emitter, Der Holder Spænding Ved 100 Ma
VCEO (sus) = 60 V= (min.) TIP120, TIP125
VCEO (sus) = 80 V= (min.) TIP121, TIP126
VCEO (sus) = 100 V= (min.) TIP122, TIP127
Lav kollektoremitter-mætningsspænding
VCE(sat) = 2,0 V= (maks.) ved IC = 3,0 Adc = 4,0 V= (maks.) ved IC = ADC
Monolitisk Konstruktion Med Indbyggede Base-Emitter-Shunt Modstande
Kompakt TO-220 AB hus

Relaterede links