TIP120G, Darlington transistor, NPN 8 A 60 V HFE:1000, 3 ben, TO-220 Enkelt

Se alle Darlington transistorer

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 30,14

(ekskl. moms)

Kr. 37,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 70 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 3,014Kr. 30,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
774-3653
Producentens varenummer:
TIP120G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Transistortype

NPN

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

8 A

Kollektor emitter spænding maks.

60 V

Emitter basis spænding maks.

5 V

Kapslingstype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Antal elementer per chip

1

DC strømforstærkning min.

1000

Kollektor basis spænding maks.

60 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks.

4 V

Kollektor afskæringsstrøm maks.

0.5mA

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

15.75mm

Effektafsættelse maks.

65 W

Højde

4.82mm

Dimensioner

15.75 x 10.28 x 4.82mm

Driftstemperatur min.

-65 °C

Bredde

10.28mm

COO (Country of Origin):
CN

NPN Darlington transistorer, ON Semiconductor


Standarder

Producentens varrnumre med præfikserne S eller NSV præfiks er godkendt til brug i biler jvf. AEC-Q101-standarden.
ON Semiconductor TIP120G er en NPN Darlington bipolær effekttransistor med middel effekt. Den er designet til brug som en udgangsenhed til allround forstærker og skift ved lav hastighed.
TIP120G leveres i plast TO-220AB hus til hulmontering.

• Høj Dc-Strømforstærkning
• lav kollektor-emitter-mætningsspænding
• Monolithic Construction
• Indbygget Base-Emitter-Shunt-Modstand
• kompakt pakke
• NPN-Polaritet

Tilgængelige versioner:
774-3653 - pakke med 10 stk.
103-5146 - rør med 50

Relaterede links