STMicroelectronics M24512E-FMN6TP I2C 512 kB EEPROM, 450 ns, Overflade 8 Ben SO-8N

Der er mulighed for mængderabat

Indhold 200 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 309,80

(ekskl. moms)

Kr. 387,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
200 - 480Kr. 1,549
500 - 980Kr. 1,44
1000 - 1980Kr. 1,324
2000 +Kr. 1,276

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-728P
Producentens varenummer:
M24512E-FMN6TP
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Hukommelsesstørrelse

512kB

Produkttype

EEPROM

Interfacetype

I2C

Emballagetype

SO-8N

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Organisation

64k x 8 Bit

Klokfrekvens maks.

1MHz

Forsyningsspænding min.

1.65V

Antal Bits per ord

8

Forsyningsspænding maks.

5.5V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

85°C

Serie

M24256E-F

Standarder/godkendelser

RoHS

Forsyningsstrøm

1mA

Datafastholdelse

200year

Bilindustristandarder

Nej

Random access-tid maks.

450ns

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics M24512E-F er en 512 Kbit I2C-kompatibel EEPROM (elektrisk sletbar programmerbar hukommelse) organiseret som 64 K x 8 bit. Den kan fungere med en forsyningsspænding fra 1,6 V til 5,5 V med en clockfrekvens på op til 1 MHz. Enheden tilbyder tre 8-bit registre, nemlig enhedstypeidentifikationsregistret (DTI), det konfigurerbare enhedsadresseregister (CDA) og software-skrivebeskyttelsesregistret (SWP).

Byte og side skrive inden for 4 MS (typisk 3,1 MS)

Forbedret ESD- eller latch-up-beskyttelse

Mere end 4 millioner skrivecyklusser

Konfigurerbart enhedsadresseregister

Register for identifikation af enhedstype (skrivebeskyttet)

Forprogrammeret enhedsadresse

Register til beskyttelse af softwareskrivning

Hardware-skrivebeskyttelse af hele hukommelsesarrayet

Tilfældig og sekventiel læsning