Infineon S25FL128LAGNFI010, Quad-SPI NOR 128Mbit Flash Memory, 8ns, 2,7 V til 3,6 V, 8 ben, WSON

Se alle Flash-memory
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 3 enheder)*

Kr. 51,849

(ekskl. moms)

Kr. 64,812

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 327 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
3 - 27Kr. 17,283Kr. 51,85
30 - 72Kr. 15,983Kr. 47,95
75 - 147Kr. 14,587Kr. 43,76
150 - 297Kr. 13,54Kr. 40,62
300 +Kr. 12,343Kr. 37,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
181-1593
Producentens varenummer:
S25FL128LAGNFI010
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

128Mbit

Interface-type

Quad-SPI

Kapslingstype

WSON

Benantal

8

Organisation

8 M x 16 bit

Monteringstype

Overflademontering

Celletype

NOR

Driftsforsyningsspænding min.

2,7 V

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Blok organisation

Symmetrisk

Længde

5.28mm

Højde

1.9mm

Bredde

5.28mm

Dimensioner

5.28 x 5.28 x 1.9mm

Antal Bits per ord

8bit

Driftstemperatur min.

-40 °C

Antal ord

16M

Serie

S25FL

Random access-tid maks.

8ns

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Bilindustristandarder

AEC-Q100

2-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk
Organiseret som 256 K ´ 8
Høj holdbarhed 10 billioner (1014) læse/skrive
121 års dataopbevaring
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelektrisk proces med høj pålidelighed
Meget hurtigt serielt periferisk interface (SPI)
Op til 33 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og tilstand 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af WP-stiften (Write Protect)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktion til deaktivering af skrivning
Beskyttelse af softwareblokke til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-id.
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
3 mA aktiv strøm ved 33 MHz
400 A standbystrøm
12 timer i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Udvidet temperatur: -40 °C til +105 °C.
8-benet tyndt dobbelt fladt NO-ledninger (DFN) hus

Relaterede links