Infineon, Parallel NOR 1 Gb GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel, 130 ns, 48 Ben, TSOP-56
- RS-varenummer:
- 273-5428
- Producentens varenummer:
- S29GL01GT10FHI010
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 bakke af 180 enheder)*
Kr. 11.667,42
(ekskl. moms)
Kr. 14.584,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 180 + | Kr. 64,819 | Kr. 11.667,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5428
- Producentens varenummer:
- S29GL01GT10FHI010
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel | |
| Hukommelsesstørrelse | 1Gb | |
| Interfacetype | Parallel | |
| Emballagetype | TSOP-56 | |
| Benantal | 48 | |
| Klokfrekvens maks. | 5MHz | |
| Celletype | NOR | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Forsyningsspænding min. | 2.7V | |
| Timing-type | Asynkron | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | S29GL | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 Klasse 2 & 3 | |
| Random access-tid maks. | 130ns | |
| Forsyningsstrøm | 100mA | |
| Antal Bits per ord | 16 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel | ||
Hukommelsesstørrelse 1Gb | ||
Interfacetype Parallel | ||
Emballagetype TSOP-56 | ||
Benantal 48 | ||
Klokfrekvens maks. 5MHz | ||
Celletype NOR | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Forsyningsspænding min. 2.7V | ||
Timing-type Asynkron | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie S29GL | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 Klasse 2 & 3 | ||
Random access-tid maks. 130ns | ||
Forsyningsstrøm 100mA | ||
Antal Bits per ord 16 | ||
Infineon flash-hukommelse er fremstillet på 45 nm procesteknologi. Disse enheder giver en hurtig sideadgangstid så hurtigt som 15 ns, med en tilsvarende tilfældig adgangstid så hurtigt som 100 ns. De har en skrivebuffer, der tillader maksimalt 256 ord eller 512 bytes at blive programmeret i en enkelt operation, hvilket resulterer i hurtigere effektiv programmeringstid end standard programmeringsalgoritmer.
20 års datalagring
Avanceret sektorbeskyttelse
512 byte programmeringsbuffer
100.000 programmerings- og sletningscyklusser
Asynkron 32 byte sideaflæsning
Tabel med parametre for fælles flash-interface