AEC-Q100 FM24C64B-G, Seriel - 2-leder, Seriel - I2C FRAM-hukommelse 64kbit, 8 K x 8 bit, 550ns, 4,5 V til 5,5 V, -40 °C
- RS-varenummer:
- 125-4209
- Producentens varenummer:
- FM24C64B-G
- Brand:
- Infineon
6 På lager for afsendelse samme dag
50 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 2)
Kr. 28,385
(ekskl. moms)
Kr. 35,481
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
2 - 8 | Kr. 28,385 | Kr. 56,77 |
10 - 48 | Kr. 21,99 | Kr. 43,98 |
50 - 98 | Kr. 21,32 | Kr. 42,64 |
100 - 498 | Kr. 19,56 | Kr. 39,12 |
500 + | Kr. 19,035 | Kr. 38,07 |
- RS-varenummer:
- 125-4209
- Producentens varenummer:
- FM24C64B-G
- Brand:
- Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
64-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 8K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Hurtigt 2-tråds serielt interface (I2C)
Op til 1 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel (I2C) EEPROM
Understøtter tidsforbrug på 100 kHz og 400 kHz
Lavt effektforbrug
100 μA (typ) aktiv strøm ved 100 kHz
4 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Hurtigt 2-tråds serielt interface (I2C)
Op til 1 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel (I2C) EEPROM
Understøtter tidsforbrug på 100 kHz og 400 kHz
Lavt effektforbrug
100 μA (typ) aktiv strøm ved 100 kHz
4 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Memory-størrelse | 64kbit |
Organisation | 8 K x 8 bit |
Interface-type | Seriel - 2-leder, Seriel - I2C |
Databusbredde | 8bit |
Random access-tid maks. | 550ns |
Monteringstype | Overflademontering |
Kapslingstype | SOIC |
Benantal | 8 |
Dimensioner | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Længde | 4.97mm |
Driftsforsyningsspænding maks. | 5,5 V |
Bredde | 3.98mm |
Højde | 1.48mm |
Driftstemperatur maks. | +85 °C |
Driftstemperatur min. | -40 °C |
Antal Bits per ord | 8bit |
Driftsforsyningsspænding min. | 4,5 V |
Bilindustristandarder | AEC-Q100 |
Antal ord | 8K |