AEC-Q100 FM24CL16B-DG, Seriel - 2-leder, Seriel - I2C FRAM-hukommelse 16kbit, 2 K x 8 bit, 3000ns, 2,7 V til 3,65 V,

Se alle FRAM

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 78,77

(ekskl. moms)

Kr. 98,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.620 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 15,754Kr. 78,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
125-4211
Producentens varenummer:
FM24CL16B-DG
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

16kbit

Organisation

2 K x 8 bit

Interface-type

Seriel - 2-leder, Seriel - I2C

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

3000ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

DFN

Benantal

8

Dimensioner

4 x 4.5 x 0.7mm

Længde

4.5mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,65 V

Bredde

4mm

Højde

0.7mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

Antal ord

2K

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Antal Bits per ord

8bit

Driftsforsyningsspænding min.

2,7 V

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

16-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 2K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Hurtigt 2-tråds serielt interface (I2C)
Op til 1 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel (I2C) EEPROM
Understøtter tidsforbrug på 100 kHz og 400 kHz
Lavt effektforbrug
100 μA aktiv strøm ved 100 kHz
3 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 2,7 V til 3,65 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
8-benet dobbelt fladt hus uden ledninger (DFN)


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links