AEC-Q100 FM24CL16B-G, Seriel - 2-leder, Seriel - I2C FRAM-hukommelse 16kbit, 2 K x 8 bit, 3000ns, 2,7 V til 3,65 V, -40

Se alle FRAM
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 49,37

(ekskl. moms)

Kr. 61,71

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 10Kr. 9,874Kr. 49,37
15 - 25Kr. 8,692Kr. 43,46
30 - 95Kr. 8,408Kr. 42,04
100 - 495Kr. 7,466Kr. 37,33
500 +Kr. 7,27Kr. 36,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
125-4212
Producentens varenummer:
FM24CL16B-G
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

16kbit

Organisation

2 K x 8 bit

Interface-type

Seriel - 2-leder, Seriel - I2C

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

3000ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Længde

4.97mm

Bredde

3.98mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,65 V

Højde

1.48mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Antal Bits per ord

8bit

Driftsforsyningsspænding min.

2,7 V

Driftstemperatur min.

-40 °C

Antal ord

2K

Bilindustristandarder

AEC-Q100

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links