AEC-Q100 FM25CL64B-G, SPI FRAM-hukommelse 64kbit, 8 K x 8 bit, 20ns, 2,7 V til 3,65 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Se alle FRAM
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 46,17

(ekskl. moms)

Kr. 57,712

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 12 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 2.312 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 23,085Kr. 46,17
10 - 48Kr. 18,77Kr. 37,54
50 - 98Kr. 18,285Kr. 36,57
100 - 498Kr. 16,39Kr. 32,78
500 +Kr. 15,63Kr. 31,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
125-4222
Producentens varenummer:
FM25CL64B-G
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

64kbit

Organisation

8 K x 8 bit

Interface-type

SPI

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

20ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Længde

4.97mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,65 V

Bredde

3.98mm

Højde

1.48mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Antal ord

8K

Driftsforsyningsspænding min.

2,7 V

Driftstemperatur min.

-40 °C

Antal Bits per ord

8bit

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links