Infineon, SPI FRAM 4 MB, 512KB x 8 bit, 16 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 181-1574
- Producentens varenummer:
- CY15B104Q-LHXI
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 217,82
(ekskl. moms)
Kr. 272,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 237 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 217,82 |
| 5 - 24 | Kr. 180,72 |
| 25 - 49 | Kr. 175,18 |
| 50 - 99 | Kr. 172,34 |
| 100 + | Kr. 168,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 181-1574
- Producentens varenummer:
- CY15B104Q-LHXI
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | FRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 4MB | |
| Organisation | 512KB x 8 bit | |
| Interfacetype | SPI | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 16ns | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Klokfrekvens maks. | 40MHz | |
| Emballagetype | DFN | |
| Benantal | 8 | |
| Bredde | 6mm | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Antal ord | 512K | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Forsyningsspænding min. | 2V | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype FRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 4MB | ||
Organisation 512KB x 8 bit | ||
Interfacetype SPI | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 16ns | ||
Monteringstype Overflade | ||
Klokfrekvens maks. 40MHz | ||
Emballagetype DFN | ||
Benantal 8 | ||
Bredde 6mm | ||
Længde 5mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Antal ord 512K | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Forsyningsspænding min. 2V | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
4-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk
Organiseret som 512 K x 8
Høj holdbarhed 100 billioner (1014) læse/skrive
151 års dataopbevaring
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelektrisk proces med høj pålidelighed
Meget hurtigt serielt periferisk interface (SPI)
Op til 40 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og tilstand 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af WP-stiften (Write Protect)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktion til deaktivering af skrivning
Beskyttelse af softwareblokke til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-id.
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
300 l/t aktiv strøm ved 1 MHz
100 V standbystrøm (typ.)
3 V/A (typ.) strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-benet SOIC-hus (Small Outline Integrated Circuit)
8-benet tyndt TDFN-hus (dual flat NO-ledninger)