CY15B104Q-SXI, SPI FRAM-hukommelse 4Mbit, 512k x 8 bit, 16ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Se alle FRAM

Indhold (1 rør af 94 enheder)*

Kr. 13.938,696

(ekskl. moms)

Kr. 17.423,37

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 658 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
94 +Kr. 148,284Kr. 13.938,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-5304
Producentens varenummer:
CY15B104Q-SXI
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

4Mbit

Organisation

512k x 8 bit

Interface-type

SPI

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

16ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

5.33 x 5.33 x 1.78mm

Længde

5.33mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Bredde

5.33mm

Højde

1.78mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Antal Bits per ord

8bit

Driftsforsyningsspænding min.

2 V

Antal ord

512k

Driftstemperatur min.

-40 °C

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

4-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 512 K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 40 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-ID
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
300 μA aktiv strøm ved 1 MHz
100 μA (typ) standbystrøm
3 μA (typisk) strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
8-benet tyndt dobbeltfladt hus uden ledninger (TDFN)


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links