AEC-Q100 FM25V05-G, SPI FRAM-hukommelse 512kbit, 64 K x 8 bit, 18ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 188-5420
- Producentens varenummer:
- FM25V05-G
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 97 enheder)*
Kr. 8.232,584
(ekskl. moms)
Kr. 10.290,73
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | Kr. 84,872 | Kr. 8.232,58 |
| 194 - 194 | Kr. 75,621 | Kr. 7.335,24 |
| 291 - 485 | Kr. 72,65 | Kr. 7.047,05 |
| 582 + | Kr. 71,122 | Kr. 6.898,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5420
- Producentens varenummer:
- FM25V05-G
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 512kbit | |
| Organisation | 64 K x 8 bit | |
| Interface-type | SPI | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 18ns | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 8 | |
| Dimensioner | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Længde | 4.97mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V | |
| Bredde | 3.98mm | |
| Højde | 1.48mm | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Antal Bits per ord | 8bit | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 2 V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Antal ord | 64k | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 512kbit | ||
Organisation 64 K x 8 bit | ||
Interface-type SPI | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 18ns | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 8 | ||
Dimensioner 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Længde 4.97mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V | ||
Bredde 3.98mm | ||
Højde 1.48mm | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Antal Bits per ord 8bit | ||
Driftsforsyningsspænding min. 2 V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Antal ord 64k | ||
- COO (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Relaterede links
- AEC-Q100 FM25V05-G 64 K x 8 bit 26 V 8 ben, SOIC
- FM25V05-GTR 64K x 8 SOIC
- AEC-Q100 FM25VN10-G 128 k x 8 bit 2 V til 3 -40 °C til +85 °C SOIC
- AEC-Q100 FM25V10-G 128 k x 8 bit 2 V til 3 -40 °C til +85 °C SOIC
- AEC-Q100 FM24V05-G 64 K x 8 bit 2 V til 3 -40 °C til +85 °C
- AEC-Q100 FM24V05-G 64 K x 8 bit 2 V til 3 -40 °C til +85 °C SOIC
- FM24V05-GTR 64K x 8 SOIC
- FM25V20A-G 256k x 8 bit 2 V til 3 -40 °C til +85 °C SOIC