Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 512 kB, 64K x 8, +85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 273-5329
- Producentens varenummer:
- FM25V05-GTR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 112,48
(ekskl. moms)
Kr. 140,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 68 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 112,48 |
| 50 + | Kr. 101,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5329
- Producentens varenummer:
- FM25V05-GTR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | FRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 512kB | |
| Organisation | 64K x 8 | |
| Interfacetype | SPI | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Klokfrekvens maks. | 40MHz | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Benantal | 8 | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Driftstemperatur maks. | +85°C | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Forsyningsspænding min. | 2V | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype FRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 512kB | ||
Organisation 64K x 8 | ||
Interfacetype SPI | ||
Databusbredde 8bit | ||
Klokfrekvens maks. 40MHz | ||
Emballagetype SOIC | ||
Benantal 8 | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Driftstemperatur maks. +85°C | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Forsyningsspænding min. 2V | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Infineon FRAM-hukommelse er en 512 Kbit ikke-flygtig hukommelse, der anvender en avanceret ferroelektrisk proces. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig og udfører læsning og skrivning svarende til en RAM. Den giver pålidelig dataopbevaring i 151 år, samtidig med at den eliminerer kompleksiteten, overhovedet og pålidelighedsproblemer på systemniveau, der er forårsaget af seriel flash, EEPROM og andre ikke-flygtige hukommelser.
I overensstemmelse med RoHS
Lavspændingsdrift
Lavt strømforbrug
Meget hurtigt serielt eksternt interface
Sofistikeret skrivebeskyttelsessystem