AEC-Q100 FM25040B-G, SPI FRAM-hukommelse 4kbit, 512 x 8 bit, 20ns, 4,5 V til 5,5 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

4-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 512 x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 20 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Lavt effektforbrug
250 μA aktiv strøm ved 1 MHz
4 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)

FRAM (Ferroelectric RAM)

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.