AEC-Q100 FM25V10-G, SPI FRAM-hukommelse 1Mbit, 128 k x 8 bit, 18ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Denne FRAM-hukommelse er designet til højhastighedsdatalagringsløsninger med en hukommelsesstørrelse på 1 Mbit, organiseret som 128K x 8 bits. Ved hjælp af overflademonteringsteknologi er den nem at integrere i forskellige elektroniske systemer. De kompakte dimensioner måler 4,97 mm x 3,98 mm x 1,47 mm, hvilket giver alsidighed til pladsfølsomme applikationer.

• Hurtige skriveoperationer uden forsinkelser øger effektiviteten
• Understøtter op til 40 MHz SPI-interface til højhastigheds-hukommelsesadgang
• AEC-Q100-kompatibel, hvilket sikrer pålidelige hukommelsesløsninger til bilindustrien
• Avanceret skrivebeskyttelse forhindrer utilsigtet ændring af data

• Integreret i bilens styresystemer til datalogning
• Anvendes i industriel automatisering til hurtig dataindsamling
• Ideel til medicinsk udstyr, der kræver ikke-flygtig lagring
• Anvendes i forbrugerelektronik for at forbedre ydeevnen
• Bruges i IoT-enheder til pålidelig lagring af hukommelse

Evnen til at udføre hurtige skriveoperationer ved bushastighed sikrer, at data kan indfanges hurtigt i industrielle omgivelser, hvilket reducerer risikoen for datatab i tidsfølsomme scenarier. Dens robuste skriveudholdenhed på 100 billioner cyklusser understøtter yderligere hyppig datalogning.

Den er effektiv og bruger kun 300μA, når den er aktiv, og helt ned til 5μA i dvaletilstand. Det lave strømforbrug gør den ideel til batteridrevne enheder eller applikationer, hvor energieffektivitet er afgørende.

Den sofistikerede skrivebeskyttelsesmekanisme omfatter både hardware- og softwarekontrol, der forhindrer utilsigtede skrivninger og sikrer, at kritiske data forbliver sikre mod utilsigtede ændringer, hvilket er afgørende i missionskritiske systemer.

FRAM (Ferroelectric RAM)

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.