FM25V20A-G, SPI FRAM-hukommelse 2Mbit, 256k x 8 bit, 16ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Se alle FRAM
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 94 enheder)*

Kr. 9.493,812

(ekskl. moms)

Kr. 11.867,312

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 94 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
94 - 94Kr. 100,998Kr. 9.493,81
188 +Kr. 98,473Kr. 9.256,46

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-5423
Producentens varenummer:
FM25V20A-G
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

2Mbit

Organisation

256k x 8 bit

Interface-type

SPI

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

16ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

5.33 x 5.33 x 1.78mm

Længde

5.33mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Bredde

5.33mm

Højde

1.78mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Driftsforsyningsspænding min.

2 V

Driftstemperatur min.

-40 °C

Antal ord

256k

Antal Bits per ord

8bit

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

2-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 256 K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år (se tabellen Datastholdelse og holdbarhed)
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig SPI
Op til 40 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-ID
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
300 μA aktiv strøm ved 1 MHz
100 μA (typ) standbystrøm
3 μA strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
8-benet dobbelt fladt hus uden ledninger (DFN)


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links