Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 1 MB, 128K x 8 bit, 18 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 188-5424
- Producentens varenummer:
- FM25VN10-G
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 97 enheder)*
Kr. 8.445,499
(ekskl. moms)
Kr. 10.556,898
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 97 + | Kr. 87,067 | Kr. 8.445,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5424
- Producentens varenummer:
- FM25VN10-G
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Hukommelsesstørrelse | 1MB | |
| Produkttype | FRAM | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Interfacetype | SPI | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 18ns | |
| Klokfrekvens maks. | 40MHz | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Benantal | 8 | |
| Længde | 4.97mm | |
| Højde | 1.47mm | |
| Bredde | 3.98 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Antal ord | 128k | |
| Forsyningsspænding min. | 2V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Hukommelsesstørrelse 1MB | ||
Produkttype FRAM | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Interfacetype SPI | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 18ns | ||
Klokfrekvens maks. 40MHz | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOIC | ||
Benantal 8 | ||
Længde 4.97mm | ||
Højde 1.47mm | ||
Bredde 3.98 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Antal ord 128k | ||
Forsyningsspænding min. 2V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Relaterede links
- Infineon AEC-Q100 128K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon 128k x 8 bit -40 °C DSO
- Infineon AEC-Q100 128K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 1 MB 125 °C 32 Ben, TSOP
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 125 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 85 °C 8 Ben, DFN
- Infineon AEC-Q100 256kB x 8 Bit 105 °C 8 Ben, DFN