STMicroelectronics Høj side, Gate-driver-modul 2, 650 mA, 8 Ben 17 V, SO-8
- RS-varenummer:
- 152-011
- Producentens varenummer:
- L6385ED013TR
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 15.737,50
(ekskl. moms)
Kr. 19.672,50
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 6,295 | Kr. 15.737,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-011
- Producentens varenummer:
- L6385ED013TR
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 650mA | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 30ns | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | Høj side | |
| Stigetid | 50ns | |
| Forsyningsspænding min. | 17V | |
| Forsyningsspænding maks. | 17V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | L6385ED013TR | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 650mA | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 30ns | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type Høj side | ||
Stigetid 50ns | ||
Forsyningsspænding min. 17V | ||
Forsyningsspænding maks. 17V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie L6385ED013TR | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Monteringstype Overflade | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics enkle og kompakte højspændings gate-driver, fremstillet med BCD "offline" teknologi, og i stand til at drive en halv bro af strøm-MOSFET eller IGBT-enheder. Den højside (flydende) sektion er i stand til at arbejde med spændingsskinne op til 600 V. Begge enhedsudgange kan uafhængigt sænke og udløse henholdsvis 650 mA og 400 mA og kan samtidig drives højt for at drive asymmetriske halvbrokonfigurationer.
Underspændingslås på den nederste og øverste drivsektion
Intern bootstrap-diode
Udgange i fase med indgange