STMicroelectronics Høj side, Gate-driver-modul 2, 650 mA, 8 Ben 17 V, SO-8

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 39,64

(ekskl. moms)

Kr. 49,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 2.495 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 7,928Kr. 39,64
50 - 95Kr. 7,54Kr. 37,70
100 - 495Kr. 6,986Kr. 34,93
500 - 995Kr. 6,432Kr. 32,16
1000 +Kr. 6,194Kr. 30,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
152-012
Producentens varenummer:
L6385ED013TR
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Gate-driver-modul

Udgangsstrøm

650mA

Benantal

8

Emballagetype

SO-8

Faldtid

30ns

Antal udgange

2

Driver-type

Høj side

Stigetid

50ns

Forsyningsspænding min.

17V

Antal drivere

2

Forsyningsspænding maks.

17V

Min. driftstemperatur

-50°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Serie

L6385ED013TR

Monteringstype

Overflade

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics enkle og kompakte højspændings gate-driver, fremstillet med BCD "offline" teknologi, og i stand til at drive en halv bro af strøm-MOSFET eller IGBT-enheder. Den højside (flydende) sektion er i stand til at arbejde med spændingsskinne op til 600 V. Begge enhedsudgange kan uafhængigt sænke og udløse henholdsvis 650 mA og 400 mA og kan samtidig drives højt for at drive asymmetriske halvbrokonfigurationer.

Underspændingslås på den nederste og øverste drivsektion

Intern bootstrap-diode

Udgange i fase med indgange

Relaterede links