ROHM, Effekttransistor, 20 A, 8 Ben 750 V, DFN-8080K
- RS-varenummer:
- 264-697
- Producentens varenummer:
- GNP1070TC-ZE2
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 67,17
(ekskl. moms)
Kr. 83,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 67,17 |
| 10 - 99 | Kr. 60,44 |
| 100 + | Kr. 55,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-697
- Producentens varenummer:
- GNP1070TC-ZE2
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Udgangsstrøm | 20A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 8.7ns | |
| Emballagetype | DFN-8080K | |
| Stigetid | 6.9ns | |
| Forsyningsspænding min. | 24V | |
| Forsyningsspænding maks. | 750V | |
| Min. driftstemperatur | -10°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | GNP1070TC NA | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Udgangsstrøm 20A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 8.7ns | ||
Emballagetype DFN-8080K | ||
Stigetid 6.9ns | ||
Forsyningsspænding min. 24V | ||
Forsyningsspænding maks. 750V | ||
Min. driftstemperatur -10°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie GNP1070TC NA | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
ROHM E-mode Gallium-Nitride (GaN) FET er en 650V GaN HEMT, som har opnået branchens højeste klasse FOM (Ron Ciss Ron Coss). Det er et produkt i EcoGaN-serien, der bidrager til effektivitet i strømkonvertering og størrelsesreduktion ved at udnytte den lave ON-modstand og højhastigheds-switching bedst muligt. ESD-beskyttelsesfunktionen er indbygget for at sikre et meget pålideligt design. Derudover giver de meget alsidige pakker fremragende varmeafledning og letter monteringen.
650V E-mode GaN FET
70mΩ Modstand
5.2nC Gate-ladning