Infineon MOSFET, MOSFET 6, 0.5 A, 28 Ben 20 V, PDIP
- RS-varenummer:
- 300-199
- Producentens varenummer:
- IR2130PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 91,41
(ekskl. moms)
Kr. 114,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 15 tilbage, klar til afsendelse
- Plus 27 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 183 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 91,41 |
| 5 - 9 | Kr. 86,77 |
| 10 - 24 | Kr. 84,97 |
| 25 - 49 | Kr. 79,44 |
| 50 + | Kr. 74,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 300-199
- Producentens varenummer:
- IR2130PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 0.5A | |
| Benantal | 28 | |
| Faldtid | 35ns | |
| Emballagetype | PDIP | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 80ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Antal drivere | 6 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | IR2130 | |
| Længde | 39.75mm | |
| Højde | 6.35mm | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 0.5A | ||
Benantal 28 | ||
Faldtid 35ns | ||
Emballagetype PDIP | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 80ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Antal drivere 6 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie IR2130 | ||
Længde 39.75mm | ||
Højde 6.35mm | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET og IGBT gate-drivere, 3-fasede, Infineon
Et udvalg af full-bridge-drivere er konstrueret til at styre MOSFET og IGBT-enheder i 3-fasede applikationer. Enhederne har en maksimal blokeringsspænding på 600 V og lavsidestyring med CMOS- og TTL-kompatible signalniveauer.