Microchip MOSFET, Gate-driver 1, 6 A, 8 Ben 18 V, 8-benet CERDIP/PDIP/SOIC

Se alle Gate-drivere

Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*

Kr. 33.247,50

(ekskl. moms)

Kr. 41.560,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3300 +Kr. 10,075Kr. 33.247,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-801
Producentens varenummer:
TC4420EOA713
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

Gate-driver

Udgangsstrøm

6A

Benantal

8

Faldtid

25ns

Emballagetype

8-benet CERDIP/PDIP/SOIC

Driver-type

MOSFET

Stigetid

25ns

Forsyningsspænding min.

4.5V

Antal drivere

1

Forsyningsspænding maks.

18V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Længde

5.05mm

Højde

0.95mm

Standarder/godkendelser

No

Serie

TC4420/TC4429

Bredde

6.05 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
Microchip Dual MOSFET-driveren er designet til at forbedre ydeevnen for dine elektroniske kredsløb. Med højhastighedsfunktionalitet er den bygget til effektivt at styre strømforsyningen til dine MOSFET'er, hvilket sikrer optimale skiftetider og reducerer energistab. Driveren udmærker sig i lavspændingsmiljøer, hvilket gør den til en perfekt pasform til forskellige anvendelser, herunder strømstyringssystemer og motorstyring. Dens robuste design understøtter en bred vifte af indgangsspændinger, hvilket giver mulighed for fleksibilitet i kredsløbsdesign. Denne driver, der er velegnet til både erfarne teknikere og nybegyndere, forenkler komplekse kredsløbsudfordringer og opretholder samtidig pålidelighed og ydeevne.

Højhastighedsydelse reducerer tab ved effektomskifter betydeligt

2-kanals design giver mulighed for problemfri integration i flere anvendelser

Bredt forsyningsspændingsområde forbedrer tilpasningsevnen i forskellige kredsløbskonfigurationer

Lav udgangsstignings- og faldtider sikrer hurtig og effektiv MOSFET-switching

Indbygget kortslutningsbeskyttelse tilføjer et lag af pålidelighed til kredsløbet

Høj drevstrømkapacitet understøtter krævende belastningskrav

Termisk beskyttelse beskytter mod overophedning under drift

Relaterede links