STMicroelectronics, Gate-driver 2, 1.35 mA, 18 Ben 6.6V, QFN-18L
- RS-varenummer:
- 648-111
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG211Q
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 17,95
(ekskl. moms)
Kr. 22,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 17,95 |
| 10 - 24 | Kr. 15,86 |
| 25 - 99 | Kr. 14,21 |
| 100 - 499 | Kr. 10,70 |
| 500 + | Kr. 10,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-111
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG211Q
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 1.35mA | |
| Benantal | 18 | |
| Emballagetype | QFN-18L | |
| Faldtid | 0.75ns | |
| Stigetid | 22ns | |
| Forsyningsspænding min. | 6.6V | |
| Forsyningsspænding maks. | 6.6V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Serie | STDRIVEG211 | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 1.35mA | ||
Benantal 18 | ||
Emballagetype QFN-18L | ||
Faldtid 0.75ns | ||
Stigetid 22ns | ||
Forsyningsspænding min. 6.6V | ||
Forsyningsspænding maks. 6.6V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Serie STDRIVEG211 | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
STMicroelectronics halvbro gate-driver skræddersyet til N-kanals forstærket tilstand GaN-transistorer, der giver problemfri drift op til 220 V gennem sin integrerede bootstrap-diode. Den er designet til højhastigheds-switching og har kort udbredelsesforsinkelse, fremragende forsinkelsesmatching, UVLO'er for pålidelighed ved svært at skifte og integreret SmartSD-overstrømsbeskyttelse med interlock-funktionalitet.
Separate logiske indgange og nedlukningspin
Fejlstift til rapportering af overtemperatur og UVLO
Standby-funktion til lavt forbrug
I overensstemmelse med RoHS