Microchip Dobbelt, Gate-driver 2, 1.2 A, 8 Ben 16V, SOIC
- RS-varenummer:
- 649-383
- Producentens varenummer:
- TC1427COA
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 50,27
(ekskl. moms)
Kr. 62,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,054 | Kr. 50,27 |
| 50 - 245 | Kr. 8,872 | Kr. 44,36 |
| 250 - 495 | Kr. 7,974 | Kr. 39,87 |
| 500 + | Kr. 6,314 | Kr. 31,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 649-383
- Producentens varenummer:
- TC1427COA
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 1.2A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 35ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | Dobbelt | |
| Stigetid | 35ns | |
| Forsyningsspænding min. | 16V | |
| Forsyningsspænding maks. | 16V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | 0°C | |
| Driftstemperatur maks. | 70°C | |
| Serie | TC1426/TC1427/TC1428 | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 1.2A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 35ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type Dobbelt | ||
Stigetid 35ns | ||
Forsyningsspænding min. 16V | ||
Forsyningsspænding maks. 16V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur 0°C | ||
Driftstemperatur maks. 70°C | ||
Serie TC1426/TC1427/TC1428 | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Microchip 1.2 A dobbelt højhastigheds gate drivere og CMOS fremstilling bruges til lavt strømforbrug og høj effektivitet. Disse enheder er fremstillet ved hjælp af et epitaxiallag for effektivt at afkorte den iboende parasittiske transistor, der er ansvarlig for CMOS-låsning. De indeholder en række andre design- og procesforfininger for at øge deres langsigtede pålidelighed.
Latch-up-beskyttet er modstandsdygtig
500 mA omvendt udgangsstrøm
ESD-beskyttet er ±2 kV
Høj kapacitiv belastningskapacitet er 1.000 pF på 38 ns