Microchip MOSFET, Gate-driver 2, 8 Ben 16 V, SOIC
- RS-varenummer:
- 273-5004
- Producentens varenummer:
- MIC4605-2YM
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,05
(ekskl. moms)
Kr. 45,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 205 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 7,21 | Kr. 36,05 |
| 10 - 20 | Kr. 7,076 | Kr. 35,38 |
| 25 - 45 | Kr. 6,224 | Kr. 31,12 |
| 50 - 90 | Kr. 6,104 | Kr. 30,52 |
| 95 + | Kr. 5,506 | Kr. 27,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5004
- Producentens varenummer:
- MIC4605-2YM
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 20ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 20ns | |
| Forsyningsspænding min. | 16V | |
| Forsyningsspænding maks. | 16V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | MIC4605 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 20ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 20ns | ||
Forsyningsspænding min. 16V | ||
Forsyningsspænding maks. 16V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie MIC4605 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip halvbroen MOSFET driver, der har adaptiv dødtid og skyde gennem beskyttelse. Det adaptive døde tidskredsløb overvåger aktivt halvbroudgange for at minimere tiden mellem MOSFET-overgange på høj og lav side og dermed maksimere effektiviteten.
Diode på chipbootstrap
Lavt strømforbrug